Datasheet SI2304BDS - Vishay Даташит Полевой транзистор, N, SOT-23 — Даташит

Купить SI2304BDS на РадиоЛоцман.Цены — от 3.54 до 69 ₽ 49 предложений от 22 поставщиков Труба MOS, SOT-23-3 N-CH 30V 2.6A 70mΩ
AllElco Electronics Весь мир	SI2304BDS-T1-E3	от 3.54 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	SI2304BDS-T1-E3 Vishay	от 36 ₽	Купить
Контест Россия	SI2304BDS-T1-E3 Vishay	69 ₽	Купить
ТаймЧипс Россия	SI2304BDS-T1-E3C	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-23

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si2304BDS
New Product
Vishay Siliconix
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 2.6 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 70 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOT-23
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 2.6 А
• Current Temperature: 25°C
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• On State Resistance @ Vgs = 10V N Channel: 70 МОм
• On State Resistance @ Vgs = 4.5V N Channel: 70 МОм
• On State Resistance Max: 70 МОм
• Выходная мощность: 750 мВт
• Тип корпуса: SOT-23
• Power Dissipation Pd: 750 мВт
• Рассеиваемая мощность максимальная: 750 мВт
• Pulse Current Idm: 10 А
• SMD Marking: L4
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds: 30 В
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Max: 3 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 3 В
• Voltage Vgs th Min: 1.5 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• LICEFA - V11-7
• Roth Elektronik - RE901