Datasheet SI4410BDY - Vishay Даташит Полевой транзистор, N, SO-8 — Даташит

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si4410BDY
Vishay Siliconix
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
FEATURES PRODUCT SUMMARY
VDS (V)

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 7.5 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 13.5 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• Current Id Max: 7.5 А
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• N-channel Gate Charge: 13nC
• Количество транзисторов: 1
• On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 20 МОм
• On State resistance @ Vgs = 10V: 13.5 МОм
• Тип корпуса: SOIC
• Power Dissipation Pd: 1.4 Вт
• Pulse Current Idm: 50 А
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
• Упаковка: Reel

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Dow Corning - 2265931
• Fischer Elektronik - ICK SMD A 5 SA
• Fischer Elektronik - WLK 5
• Roth Elektronik - RE932-01