Datasheet SI4484EY - Vishay Даташит Полевой транзистор, N, SO-8 — Даташит
Наименование модели: SI4484EY
![]() 18 предложений от 14 поставщиков N-Channel 100-V (D-S) MOSFET | |||
SI4484EY-T1-E3 Vishay | 31 ₽ | ||
SI4484EY-T1 | от 141 ₽ | ||
SI4484EY-T1-E3 Vishay | от 700 ₽ | ||
SI4484EY-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N, SO-8
Краткое содержание документа:
Si4484EY
Vishay Siliconix
N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V)
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 6.9 А
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On Resistance Rds(on): 34 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 2 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: 4.8 А
- N-channel Gate Charge: 24nC
- Количество транзисторов: 1
- On State resistance @ Vgs = 10V: 34 МОм
- Тип корпуса: SOIC
- Power Dissipation Pd: 1.8 Вт
- Pulse Current Idm: 30 А
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds Typ: 100 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Dow Corning - 2265931
- Fischer Elektronik - ICK SMD A 5 SA
- Fischer Elektronik - WLK 5