Источники питания KEEN SIDE

Datasheet SI4850EY - Vishay Даташит Полевой транзистор, N, SO-8 — Даташит

Vishay SI4850EY

Наименование модели: SI4850EY

51 предложений от 24 поставщиков
Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
SI4850EY-E3
Vishay
от 138 ₽
SI4850EY-T1-GE3
Vishay
от 148 ₽
SI4850EY-T1-E3
Vishay
по запросу
ТаймЧипс
Россия
SI4850EY-T1-GE3
Vishay
по запросу
LED-драйверы – ключевые элементы современных световых и промышленных систем

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N, SO-8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si4850EY
Vishay Siliconix
N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V)

Данные для моделированияДанные для моделирования

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 6 А
  • Drain Source Voltage Vds: 60 В
  • On Resistance Rds(on): 22 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +175°C

  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8
  • Current Id Max: 6 А
  • Температура перехода максимальная: 175°C
  • Температура перехода минимальная: -55°C
  • N-channel Gate Charge: 18nC
  • Количество транзисторов: 1
  • On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 31 МОм
  • On State resistance @ Vgs = 10V: 22 МОм
  • Тип корпуса: SOIC
  • Power Dissipation Pd: 1.7 Вт
  • Pulse Current Idm: 40 А
  • Rise Time: 10 нс
  • Способ монтажа: SMD
  • Время выключения: 25 нс
  • Время включения: 10 нс
  • Voltage Vds Typ: 60 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Dow Corning - 2265931
  • Fischer Elektronik - ICK SMD A 5 SA
  • Fischer Elektronik - WLK 5

На английском языке: Datasheet SI4850EY - Vishay MOSFET, N, SO-8

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка