Datasheet SI4850EY - Vishay Даташит Полевой транзистор, N, SO-8 — Даташит

Купить SI4850EY на РадиоЛоцман.Цены — от 20 до 216 ₽ 54 предложений от 23 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 8.5 А, 0.018 Ом, SOIC, Surface Mount
Maybo Весь мир	SI4850EY-T1 Vishay	46 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	SI4850EY-T1-GE3 Vishay	48 ₽	Купить
ТаймЧипс Россия	SI4850EY-T1-GE3 Vishay	по запросу	Купить
Стандарт СИЗ Россия	SI4850EY-T1-GE3	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si4850EY
Vishay Siliconix
N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V)

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 6 А
• Drain Source Voltage Vds: 60 В
• On Resistance Rds(on): 22 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• Current Id Max: 6 А
• Температура перехода максимальная: 175°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• N-channel Gate Charge: 18nC
• Количество транзисторов: 1
• On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 31 МОм
• On State resistance @ Vgs = 10V: 22 МОм
• Тип корпуса: SOIC
• Power Dissipation Pd: 1.7 Вт
• Pulse Current Idm: 40 А
• Rise Time: 10 нс
• Способ монтажа: SMD
• Время выключения: 25 нс
• Время включения: 10 нс
• Voltage Vds Typ: 60 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Dow Corning - 2265931
• Fischer Elektronik - ICK SMD A 5 SA
• Fischer Elektronik - WLK 5