Datasheet SI4886DY - Vishay Даташит Полевой транзистор, N, SO-8 — Даташит

Купить SI4886DY на РадиоЛоцман.Цены — от 70 до 461 ₽ 14 предложений от 13 поставщиков MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC / Trans MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-Pin SOIC N T/R
AliExpress Весь мир	Бесплатная доставка SOP8 SI4886DY-T1-E3 SI4894BDY-T1-E3 SI4914BDY-T1-GE3 SI4886 SI4894 SI4914 4886 4894 4914 SOIC-8	70 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	SI4886DY-T1-E3 Vishay	162 ₽	Купить
LIXINC Electronics Весь мир	SI4886DY-T1-GE3 Vishay	от 461 ₽	Купить
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	SI4886DY-T1	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si4886DY
New Product
Vishay Siliconix
N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
PRODUCT SUMMARY

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 9.5 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 10 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 800 мВ
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• Current Id Max: 9.5 А
• Fall Time tf: 18 нс
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• N-channel Gate Charge: 14.5nC
• Количество транзисторов: 1
• On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 13.5 МОм
• On State resistance @ Vgs = 10V: 10 МОм
• Тип корпуса: SOIC
• Power Dissipation Pd: 1.56 Вт
• Pulse Current Idm: 50 А
• Rise Time: 5 нс
• Способ монтажа: SMD
• Время выключения: 42 нс
• Время включения: 14 нс
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Dow Corning - 2265931
• Fischer Elektronik - ICK SMD A 5 SA
• Fischer Elektronik - WLK 5
• Roth Elektronik - RE932-01