Datasheet SI4412ADY - Vishay Даташит Полевой транзистор, N, SO-8 — Даташит
Наименование модели: SI4412ADY
![]() 13 предложений от 13 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A 8Pin SOIC N T/R | |||
SI4412ADY Siliconix | по запросу | ||
SI4412ADY-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
SI4412ADY-T1-GE3 | по запросу | ||
SI4412ADY-E3 | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N, SO-8
Краткое содержание документа:
Si4412DY
N-Channel 30-V (D-S) Rated MOSFET
Product Summary
VDS (V)
30
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 7 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 42 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: 5.8 А
- Current Temperature: 25°C
- External Depth: 5.26 мм
- Внешняя длина / высота: 1.2 мм
- Внешняя ширина: 6.2 мм
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Температура перехода минимальная: -55°C
- N-channel Gate Charge: 19.5nC
- Количество транзисторов: 1
- On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 42 МОм
- On State Resistance Max: 28 МОм
- On State resistance @ Vgs = 10V: 28 МОм
- Тип корпуса: SOIC
- Power Dissipation Pd: 2.5 Вт
- Pulse Current Idm: 30 А
- SMD Marking: SI4412DY
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Min: 1 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Dow Corning - 2265931
- Fischer Elektronik - ICK SMD A 5 SA
- Fischer Elektronik - WLK 5