Миграция проектов на ПЛИС новых производителей

Datasheet SI7848BDP-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N, SO-8 — Даташит

Vishay SI7848BDP-T1-E3

Наименование модели: SI7848BDP-T1-E3

14 предложений от 10 поставщиков
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 14А; 89Вт; DirectFET
T-electron
Россия и страны СНГ
SI7848BDP-T1-E3
Vishay
88 ₽
ЧипСити
Россия
SI7848BDP-T1-E3
Vishay
94 ₽
Контест
Россия
SI7848BDP-T1-E3
Siliconix
по запросу
TradeElectronics
Россия
SI7848BDP-T1-E3
Vishay
по запросу
Критерии выбора литиевых аккумуляторов и батареек: что необходимо учитывать разработчикам

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N, SO-8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si7848BDP
Vishay Siliconix
N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 40 RDS(on) () 0.009 at VGS = 10 V 0.012 at VGS = 4.5 V ID (A)f 47 15 nC 40 Qg (Typ.)

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 47 А
  • Drain Source Voltage Vds: 40 В
  • On Resistance Rds(on): 9 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Current Id Max: 16 А
  • Температура перехода максимальная: 150°C
  • Тип корпуса: PowerPAK
  • Power Dissipation Pd: 36 Вт
  • Rise Time: 150 нс
  • Способ монтажа: SMD
  • Voltage Vds Typ: 40 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
  • Voltage Vgs th Max: 3 В
  • Voltage Vgs th Min: 1 В

RoHS: Y-Ex

Дополнительные аксессуары:

  • Panasonic - EYGA091203SM
  • Panasonic - EYGA121807A

Варианты написания:

SI7848BDPT1E3, SI7848BDP T1 E3

На английском языке: Datasheet SI7848BDP-T1-E3 - Vishay MOSFET, N, SO-8

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России