Datasheet SI7848BDP-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N, SO-8 — Даташит
Наименование модели: SI7848BDP-T1-E3
![]() 31 предложений от 15 поставщиков Труба MOS, VISHAY SI7848BDP-T1-E3 MOSFET Transistor, N Channel, 47A, 40V, 0.0074Ω, 4.5V, 1V | |||
SI7848BDP-T1-E3 Vishay | от 68 ₽ | ||
SI7848BDP-T1-E3 Vishay | 86 ₽ | ||
SI7848BDP-T1-E3 Vishay | 137 ₽ | ||
SI7848BDP-T1-E3 Vishay | от 319 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N, SO-8
Краткое содержание документа:
Si7848BDP
Vishay Siliconix
N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 40 RDS(on) () 0.009 at VGS = 10 V 0.012 at VGS = 4.5 V ID (A)f 47 15 nC 40 Qg (Typ.)
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 47 А
- Drain Source Voltage Vds: 40 В
- On Resistance Rds(on): 9 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Current Id Max: 16 А
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Тип корпуса: PowerPAK
- Power Dissipation Pd: 36 Вт
- Rise Time: 150 нс
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds Typ: 40 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 3 В
- Voltage Vgs th Min: 1 В
RoHS: Y-Ex
Дополнительные аксессуары:
- Panasonic - EYGA091203SM
- Panasonic - EYGA121807A
Варианты написания:
SI7848BDPT1E3, SI7848BDP T1 E3