Datasheet SIE802DF-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N, POLAR PAK — Даташит
Наименование модели: SIE802DF-T1-E3
![]() 17 предложений от 12 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 30V 42.7A 10Pin PolarPAK T/R | |||
SIE802DF-T1-E3 Vishay | от 66 ₽ | ||
SIE802DF-T1-E3 Vishay | от 163 ₽ | ||
SIE802DFT1E3 | по запросу | ||
SIE802DF-T1-E3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N, POLAR PAK
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 202 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 1.9 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 2.2 В
- Корпус транзистора: PolarPAK
- Количество выводов: 10
- Семейство: 802
- Current Id Max: 60 А
- N-channel Gate Charge: 50nC
- On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 2.6 МОм
- On State resistance @ Vgs = 10V: 1.9 МОм
- Тип корпуса: PolarPAK
- Power Dissipation Pd: 125 Вт
- Pulse Current Idm: 100 А
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Max: 2.2 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 3.7 В
- Voltage Vgs th Min: 1.5 В
RoHS: есть
Варианты написания:
SIE802DFT1E3, SIE802DF T1 E3