Datasheet SIE810DF-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N, POLAR PAK — Даташит

Купить SIE810DF-T1-E3 на РадиоЛоцман.Цены — от 42 до 14 424 ₽ 9 предложений от 9 поставщиков Труба MOS, VISHAY SIE810DF-T1-E3 MOSFET Transistor, N Channel, 60A, 20V, 0.0011Ω, 12V, 1.3V
ChipWorker Весь мир	SIE810DF-T1-E3 Vishay	112 ₽	Купить
ТаймЧипс Россия	SIE810DF-T1-E3 Vishay	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	SIE810DF-T1-E3 Vishay	по запросу	Купить
Контест Россия	SIE810DF-T1-E3 Siliconix	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N, POLAR PAK

Скачать Data Sheet

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 236 А
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On Resistance Rds(on): 1.4 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.3 В
• Корпус транзистора: PolarPAK
• Количество выводов: 10
• Семейство: 810
• Current Id Max: 60 А
• N-channel Gate Charge: 90nC
• On State Resistance @ Vgs = 2.5V: 2.7 МОм
• On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 1.6 МОм
• On State resistance @ Vgs = 10V: 1.4 МОм
• Тип корпуса: PolarPAK
• Power Dissipation Pd: 125 Вт
• Pulse Current Idm: 100 А
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: 20 В
• Voltage Vgs Max: 1.3 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 2 В
• Voltage Vgs th Min: 0.8 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SIE810DFT1E3, SIE810DF T1 E3