Datasheet SIE818DF-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N, POLAR PAK — Даташит
Наименование модели: SIE818DF-T1-E3
![]() 27 предложений от 13 поставщиков Single N-Channel 75 V 0.0095 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PolarPAK | |||
SIE818DF-T1-E3 Vishay | 41 ₽ | ||
SIE818DF-T1-E3 | от 51 ₽ | ||
SIE818DF-T1-E3 Vishay | от 658 ₽ | ||
SIE818DF-T1-E3 Vishay | от 1 996 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N, POLAR PAK
Краткое содержание документа:
SiE818DF
Vishay Siliconix
N-Channel 75-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
ID (A)a VDS (V) 75 RDS(on) ()e 0.0095 at VGS = 10 V 0.0125 at VGS = 4.5 V Silicon Limit 79 69 Package Qg (Typ.) Limit 60 60 33 nC
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 79 А
- Drain Source Voltage Vds: 75 В
- On Resistance Rds(on): 9.5 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 2.1 В
- Рабочий диапазон температрур: -50°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: PolarPAK
- Количество выводов: 10
- Семейство: 818
- Current Id Max: 60 А
- N-channel Gate Charge: 33nC
- On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 12.5 МОм
- On State resistance @ Vgs = 10V: 9.5 МОм
- Тип корпуса: PolarPAK
- Power Dissipation Pd: 125 Вт
- Pulse Current Idm: 80 А
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds Typ: 75 В
- Voltage Vgs Max: 2.1 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 3 В
- Voltage Vgs th Min: 1.5 В
RoHS: Y-Ex
Дополнительные аксессуары:
- Panasonic - EYGA091203SM
- Panasonic - EYGA121807A
Варианты написания:
SIE818DFT1E3, SIE818DF T1 E3