Datasheet SI2312BDS-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N, SOT-23 — Даташит
Наименование модели: SI2312BDS-T1-GE3
Купить SI2312BDS-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 14 до 40 ₽ 21 предложений от 10 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 3,9А; Idm: 15А; 0,48Вт; SOT23 | |||
SI2312BDS-T1-GE3 Vishay | от 14 ₽ | ||
SI2312BDS-T1-GE3 Vishay | 17 ₽ | ||
SI2312BDS-T1-GE3 Vishay | 37 ₽ | ||
SI2312BDS-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N, SOT-23
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 5 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 31 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 20 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 8 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 5 А
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Тип корпуса: SOT-23
- Power Dissipation Pd: 750 мВт
- Rise Time: 30 нс
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds Typ: 20 В
- Voltage Vgs Max: 8 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
- Voltage Vgs th Max: 0.85 В
- Voltage Vgs th Min: 0.45 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Panasonic - EYGA091203SM
- Panasonic - EYGA121807A
Варианты написания:
SI2312BDST1GE3, SI2312BDS T1 GE3