Datasheet SI4642DY-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N, SO-8 + SCHO — Даташит

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N, SO-8 + SCHO

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si4642DY
Vishay Siliconix
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 30 RDS(on) () 0.00375 at VGS = 10 V 0.0047 at VGS = 4.5 V ID (A)a 34 30 Qg (Typ.) 35.7 nC

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 34 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 3.75 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 20 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• Current Id Max: 34 А
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Тип корпуса: SOIC-8
• Power Dissipation Pd: 7.8 Вт
• Rise Time: 180 нс
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Max: 3 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 3 В
• Voltage Vgs th Min: 1.5 В

RoHS: Y-Ex

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA091203SM
• Panasonic - EYGA121807A

Варианты написания:

SI4642DYT1E3, SI4642DY T1 E3