Смарт-ЭК - поставщик алюминиевых корпусов LinTai

Datasheet SI7192DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N, PPAK SO-8 — Даташит

Vishay SI7192DP-T1-GE3

Наименование модели: SI7192DP-T1-GE3

28 предложений от 16 поставщиков
Труба MOS, MOSFET 30V 60A 104W 1.9mohm @ 10V
727GS
Весь мир
SI7192DP-T1-GE3
Vishay
от 211 ₽
SI7192DP-T1-GE3
Vishay
от 362 ₽
Контест
Россия
SI7192DP-T1-GE3
Siliconix
по запросу
Augswan
Весь мир
SI7192DP-T1-GE3
Vishay
по запросу

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N, PPAK SO-8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
New Product
Si7192DP
Vishay Siliconix
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 60 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 1.9 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 20 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Количество выводов: 8
  • Current Id Max: 60 А
  • Температура перехода максимальная: 150°C
  • Тип корпуса: PowerPAK
  • Power Dissipation Pd: 104 Вт
  • Rise Time: 10 нс
  • Способ монтажа: SMD
  • Voltage Vds Typ: 30 В
  • Voltage Vgs Max: 1 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
  • Voltage Vgs th Max: 2.5 В
  • Voltage Vgs th Min: 1 В

RoHS: Y-Ex

Дополнительные аксессуары:

  • Panasonic - EYGA091203SM
  • Panasonic - EYGA121807A

Варианты написания:

SI7192DPT1GE3, SI7192DP T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI7192DP-T1-GE3 - Vishay MOSFET, N, PPAK SO-8

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка