Datasheet SI7192DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N, PPAK SO-8 — Даташит
Наименование модели: SI7192DP-T1-GE3
![]() 28 предложений от 16 поставщиков Труба MOS, MOSFET 30V 60A 104W 1.9mohm @ 10V | |||
SI7192DP-T1-GE3 Vishay | от 211 ₽ | ||
SI7192DP-T1-GE3 Vishay | от 362 ₽ | ||
SI7192DP-T1-GE3 Siliconix | по запросу | ||
SI7192DP-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N, PPAK SO-8
Краткое содержание документа:
New Product
Si7192DP
Vishay Siliconix
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 60 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 1.9 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: 60 А
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Тип корпуса: PowerPAK
- Power Dissipation Pd: 104 Вт
- Rise Time: 10 нс
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Max: 1 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 2.5 В
- Voltage Vgs th Min: 1 В
RoHS: Y-Ex
Дополнительные аксессуары:
- Panasonic - EYGA091203SM
- Panasonic - EYGA121807A
Варианты написания:
SI7192DPT1GE3, SI7192DP T1 GE3