Datasheet CMF20120D - Cree Даташит Полевой транзистор, SIC, N CH, 1200 В, 33 А, TO247 — Даташит
Наименование модели: CMF20120D
Купить CMF20120D на РадиоЛоцман.Цены — от 195 до 237 916 ₽ 16 предложений от 10 поставщиков WOLFSPEED - CMF20120D - N CHANNEL, SIC POWER MOSFET, 1200V, 42A, TO247-3 | |||
CMF20120D | от 195 ₽ | ||
CMF20120D | от 214 ₽ | ||
CMF20120D CMF20120 или CMF20170D CMF20170 или CMF10120D CMF10120 TO-247 33A 1200 в, мощный МОП-транзистор из карбида кремния, новый оригинал | 540 ₽ | ||
CMF20120D Cree | 237 916 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Cree
Описание: Полевой транзистор, SIC, N CH, 1200 В, 33 А, TO247
Краткое содержание документа:
Application Considerations for SiC MOSFETs
January 2011
Application Considerations for Silicon Carbide MOSFETs
Application Considerations for Silicon Carbide MOSFETs
Author: Bob Callanan, Cree, Inc.
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 1.2 кВ
- On Resistance Rds(on): 80 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+125°C
- Корпус транзистора: TO-247
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 33 А
- Рассеиваемая мощность: 150 Вт
- Voltage Vgs Max: 25 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 H
- IXYS RF - DEIC420
- WAKEFIELD SOLUTIONS - 120-5.