Муфты электромонтажные от производителя Fucon

Datasheet CMF20120D - Cree Даташит Полевой транзистор, SIC, N CH, 1200 В, 33 А, TO247 — Даташит

Cree CMF20120D

Наименование модели: CMF20120D

16 предложений от 10 поставщиков
WOLFSPEED - CMF20120D - N CHANNEL, SIC POWER MOSFET, 1200V, 42A, TO247-3
Utmel
Весь мир
CMF20120D
от 195 ₽
Akcel
Весь мир
CMF20120D
от 214 ₽
AliExpress
Весь мир
CMF20120D CMF20120 или CMF20170D CMF20170 или CMF10120D CMF10120 TO-247 33A 1200 в, мощный МОП-транзистор из карбида кремния, новый оригинал
540 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
CMF20120D
Cree
237 916 ₽
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: Cree

Описание: Полевой транзистор, SIC, N CH, 1200 В, 33 А, TO247

data sheetСкачать Data Sheet

Указания по применениюУказания по применению

Краткое содержание документа:
Application Considerations for SiC MOSFETs
January 2011
Application Considerations for Silicon Carbide MOSFETs
Application Considerations for Silicon Carbide MOSFETs
Author: Bob Callanan, Cree, Inc.

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 1.2 кВ
  • On Resistance Rds(on): 80 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 20 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +125°C

  • Корпус транзистора: TO-247
  • Количество выводов: 3
  • Current Id Max: 33 А
  • Рассеиваемая мощность: 150 Вт
  • Voltage Vgs Max: 25 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 H
  • IXYS RF - DEIC420
  • WAKEFIELD SOLUTIONS - 120-5.

На английском языке: Datasheet CMF20120D - Cree MOSFET, SIC, N CH, 1200 V, 33 A, TO247

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России