Datasheet 2N7002BKV - NXP Даташит Полевой транзистор, NN CH, 60 В, 0.34 А, SOT666 — Даташит
Наименование модели: 2N7002BKV
![]() 52 предложений от 21 поставщиков Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 0.34 А, 0.525 Вт | |||
2N7002BKV,115 Nexperia | от 2.35 ₽ | ||
2N7002BKV,115 Nexperia | 14 ₽ | ||
2N7002BKV,115 Nexperia | от 16 ₽ | ||
2N7002BKV.115 | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, NN CH, 60 В, 0.34 А, SOT666
Краткое содержание документа:
2N7002BKV
60 V, 340 mA dual N-channel Trench MOSFET
Rev.
2 -- 22 September 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On Resistance Rds(on): 1 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.6 В
- Рассеиваемая мощность: 525 мВт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOT-666
- Количество выводов: 6
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Continuous Drain Current Id, N Channel: 340 мА
- Current Id Max: 340 мА
- Drain Source Voltage Vds, N Channel: 60 В
- Module Configuration: Dual
- On Resistance Rds(on), N Channel: 1 Ом
RoHS: есть