Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet 2N7002BKV - NXP Даташит Полевой транзистор, NN CH, 60 В, 0.34 А, SOT666 — Даташит

NXP 2N7002BKV

Наименование модели: 2N7002BKV

38 предложений от 18 поставщиков
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.34A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
ЗУМ-СМД
Россия
2N7002BKV
NXP
1.38 ₽
2N7002BKV,115
NXP
3.26 ₽
Akcel
Весь мир
2N7002BKV,115
Nexperia
от 114 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
2N7002BKV115
NXP
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, NN CH, 60 В, 0.34 А, SOT666

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
2N7002BKV
60 V, 340 mA dual N-channel Trench MOSFET
Rev.

2 -- 22 September 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 60 В
  • On Resistance Rds(on): 1 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.6 В
  • Рассеиваемая мощность: 525 мВт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-666
  • Количество выводов: 6
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Continuous Drain Current Id, N Channel: 340 мА
  • Current Id Max: 340 мА
  • Drain Source Voltage Vds, N Channel: 60 В
  • Module Configuration: Dual
  • On Resistance Rds(on), N Channel: 1 Ом

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet 2N7002BKV - NXP MOSFET, NN CH, 60 V, 0.34 A, SOT666

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России