Datasheet BSS138DW-7-F - Diodes Даташит Полевой транзистор, NN CH, 50 В, SOT-363 — Даташит

Купить BSS138DW-7-F на РадиоЛоцман.Цены — от 1.52 до 35 ₽ 28 предложений от 17 поставщиков DIODES INC. - BSS138DW-7-F - Dual MOSFET, N Channel, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-363, Surface Mount
ChipWorker Весь мир	BSS138DW-7-F Diodes	8.34 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	BSS138DW-7-F Diodes	от 12 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	BSS138DW-7-F Diodes	от 17 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	BSS138DW-7-F Diodes	от 21 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, NN CH, 50 В, SOT-363

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BSS138DW
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
Please click here to visit our online spice models database.
Features
· · · · · · · Low On-Resistance Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance Fast Switching Speed Available in Lead Free/RoHS Compliant Version (Note 4) Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability "Green" Device (Notes 5 and 6)

Спецификации:

• Полярность транзистора: Dual N Channel
• Continuous Drain Current Id: 200 мА
• Drain Source Voltage Vds: 50 В
• On Resistance Rds(on): 3.5 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.2 В
• Рассеиваемая мощность: 200 мВт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOT-363
• Количество выводов: 6
• SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
• Continuous Drain Current Id, N Channel: 200 мА
• Current Id Max: 200 мА
• Drain Source Voltage Vds, N Channel: 50 В
• Module Configuration: Dual
• On Resistance Rds(on), N Channel: 1.4 Ом
• Тип корпуса: SOT-363
• Способ монтажа: SMD
• Тип транзистора: Enhancement
• Voltage Vds Typ: 50 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Варианты написания:

BSS138DW7F, BSS138DW 7 F