Datasheet BSS138DW-7-F - Diodes Даташит Полевой транзистор, NN CH, 50 В, SOT-363 — Даташит
Наименование модели: BSS138DW-7-F
Купить BSS138DW-7-F на РадиоЛоцман.Цены — от 2.82 до 23 ₽ 28 предложений от 14 поставщиков DIODES INC. - BSS138DW-7-F - Dual MOSFET, N Channel, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-363, Surface Mount | |||
BSS138DW-7-F Diodes | 2.82 ₽ | ||
BSS138DW-7-F Diodes | 4.00 ₽ | ||
BSS138DW-7-F Diodes | 7.11 ₽ | ||
BSS138DW-7(-F) Fairchild | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Diodes
Описание: Полевой транзистор, NN CH, 50 В, SOT-363
Краткое содержание документа:
BSS138DW
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
Please click here to visit our online spice models database.
Features
· · · · · · · Low On-Resistance Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance Fast Switching Speed Available in Lead Free/RoHS Compliant Version (Note 4) Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability "Green" Device (Notes 5 and 6)
Спецификации:
- Полярность транзистора: Dual N Channel
- Continuous Drain Current Id: 200 мА
- Drain Source Voltage Vds: 50 В
- On Resistance Rds(on): 3.5 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.2 В
- Рассеиваемая мощность: 200 мВт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-363
- Количество выводов: 6
- SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
- Continuous Drain Current Id, N Channel: 200 мА
- Current Id Max: 200 мА
- Drain Source Voltage Vds, N Channel: 50 В
- Module Configuration: Dual
- On Resistance Rds(on), N Channel: 1.4 Ом
- Тип корпуса: SOT-363
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: Enhancement
- Voltage Vds Typ: 50 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Варианты написания:
BSS138DW7F, BSS138DW 7 F