Datasheet BSS8402DW-7-F - Diodes Даташит Полевой транзистор, NP, CH, 60 В, SOT-363 — Даташит

Купить BSS8402DW-7-F на РадиоЛоцман.Цены — от 3.66 до 49 ₽ 41 предложений от 16 поставщиков Двойной МОП-транзистор, N и P Дополнение, 60 В, 115 мА, 13.5 Ом, SOT-363, Surface Mount
727GS Весь мир	BSS8402DW-7-F Diodes	от 9.88 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	BSS8402DW-7-F Diodes	12 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	BSS8402DW-7-F	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	BSS8402DW-7-F Diodes	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, NP, CH, 60 В, SOT-363

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BSS8402DW
COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
Please click here to visit our online spice models database.
Features
· · · · · · · · · Low On-Resistance Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage Complementary Pair Lead Free/RoHS Compliant (Note 2) "Green" Device (Note 3 and 4) Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

Спецификации:

• Полярность транзистора: N and P Channel
• Continuous Drain Current Id: 115 мА
• Drain Source Voltage Vds: 60 В
• On Resistance Rds(on): 13.5 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 2.5 В
• Рассеиваемая мощность: 200 мВт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOT-363
• Количество выводов: 6
• SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
• Continuous Drain Current Id, N Channel: 115 мА
• Continuous Drain Current Id, P Channel: -130 мА
• Current Id Max: 800 мА
• Drain Source Voltage Vds, N Channel: 60 В
• Drain Source Voltage Vds, P Channel: -50 В
• Module Configuration: Dual
• On Resistance Rds(on), N Channel: 3.2 Ом
• On Resistance Rds(on), P Channel: 10 Ом
• Тип корпуса: SOT-363
• Способ монтажа: SMD
• Тип транзистора: Enhancement
• Voltage Vds Typ: 60 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Варианты написания:

BSS8402DW7F, BSS8402DW 7 F