Datasheet BSS84DW-7-F - Diodes Даташит Полевой транзистор p-канальный SOT-363 — Даташит
Наименование модели: BSS84DW-7-F
Купить BSS84DW-7-F на РадиоЛоцман.Цены — от 1.89 до 22 ₽ 33 предложений от 15 поставщиков Транзистор: P-MOSFET x2, полевой, -50В, -0,13А, 0,3Вт, SOT363 | |||
BSS84DW-7-F Diodes | от 1.89 ₽ | ||
BSS84DW-7-F Diodes | от 1.95 ₽ | ||
BSS84DW-7-F Diodes | 6.32 ₽ | ||
BSS84DW-7-F Diodes | 6.45 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Diodes
Описание: Полевой транзистор p-канальный SOT-363
Краткое содержание документа:
BSS84DW
DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
Features
· · · · · · Low On-Resistance Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance Fast Switching Speed Lead Free/RoHS Compliant (Note 3) "Green" Device (Note 5 and 6)
Mechanical Data
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: -130 мА
- Drain Source Voltage Vds: -50 В
- On Resistance Rds(on): 10 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -1.6 В
- Рассеиваемая мощность: 300 мВт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-363
- Количество выводов: 6
- SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
- Continuous Drain Current Id, P Channel: -130 мА
- Current Id Max: -130 мА
- Drain Source Voltage Vds, P Channel: -50 В
- Module Configuration: Dual
- On Resistance Rds(on), P Channel: 6 Ом
- Тип корпуса: SOT-363
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: Enhancement
- Voltage Vds Typ: -50 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: -5 В
RoHS: есть
Варианты написания:
BSS84DW7F, BSS84DW 7 F