Datasheet DMN5L06DWK-7 - Diodes Даташит Полевой транзистор, NN CH, SOT-363 — Даташит
Наименование модели: DMN5L06DWK-7
![]() 19 предложений от 14 поставщиков Двойной МОП-транзистор, N Канал, 50 В, 305 мА, 2 Ом, SOT-363, Surface Mount | |||
DMN5L06DWK-7 Diodes | 7.67 ₽ | ||
DMN5L06DWK-7 Diodes | 23 ₽ | ||
DMN5L06DWK-7 Diodes | 78 ₽ | ||
DMN5L06DWK-7 Diodes | 163 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Diodes
Описание: Полевой транзистор, NN CH, SOT-363
Краткое содержание документа:
DMN5L06DWK
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
Features
· · · · · · · · · · · Dual N-Channel MOSFET Low On-Resistance (1.0V max) Very Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage Ultra-Small Surface Mount Package Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2) ESD Protected up to 2kV "Green" Device (Note 4) Qualified to AEC-Q101 standards for High Reliability
Mechanical Data
Спецификации:
- Полярность транзистора: Dual N Channel
- Continuous Drain Current Id: 305 мА
- Drain Source Voltage Vds: 50 В
- On Resistance Rds(on): 2 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
- Рассеиваемая мощность: 250 мВт
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-363
- Количество выводов: 6
- SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
- Continuous Drain Current Id, N Channel: 305 мА
- Current Id Max: 800 мА
- Drain Source Voltage Vds, N Channel: 50 В
- Module Configuration: Dual
- On Resistance Rds(on), N Channel: 2 Ом
- Тип корпуса: SOT-363
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: Enhancement
- Voltage Vds Typ: 50 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 5 В
RoHS: есть
Варианты написания:
DMN5L06DWK7, DMN5L06DWK 7