Datasheet DMN601DWK-7 - Diodes Даташит Полевой транзистор, NN CH, SOT-363 — Даташит
Наименование модели: DMN601DWK-7
![]() 33 предложений от 14 поставщиков Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-363 | |||
DMN601DWK-7 Diodes | 5.44 ₽ | ||
DMN601DWK-7 Diodes | от 21 ₽ | ||
DMN601DWK-7 Diodes | 29 ₽ | ||
DMN601DWK-7 | 142 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Diodes
Описание: Полевой транзистор, NN CH, SOT-363
Краткое содержание документа:
DMN601DWK
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
Please click here to visit our online spice models database.
Features
· · · · · · · · · · Dual N-Channel MOSFET Low On-Resistance Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage Ultra-Small Surface Mount Package Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2) ESD Protected Up To 2kV "Green" Device (Note 4)
Спецификации:
- Полярность транзистора: Dual N Channel
- Continuous Drain Current Id: 305 мА
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On Resistance Rds(on): 2 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.6 В
- Рассеиваемая мощность: 200 мВт
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-363
- Количество выводов: 6
- SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
- Continuous Drain Current Id, N Channel: 305 мА
- Current Id Max: 800 мА
- Drain Source Voltage Vds, N Channel: 60 В
- Module Configuration: Dual
- On Resistance Rds(on), N Channel: 2 Ом
- Тип корпуса: SOT-363
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: Enhancement
- Voltage Vds Typ: 60 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Варианты написания:
DMN601DWK7, DMN601DWK 7