Datasheet DMS3017SSD-13 - Diodes Даташит Полевой транзистор, +SCH, NN CH, 30 В, SO8 — Даташит

Купить DMS3017SSD-13 на РадиоЛоцман.Цены — от 14 до 258 ₽ 14 предложений от 9 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 30V 10A/7.2A Automotive 8Pin SO T/R
ChipWorker Весь мир	DMS3017SSD-13 Diodes	20 ₽	Купить
Maybo Весь мир	DMS3017SSD-13 Diodes	258 ₽	Купить
AllElco Electronics Весь мир	DMS3017SSD-13 Diodes	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	DMS3017SSD-13 Diodes	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, +SCH, NN CH, 30 В, SO8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DMS3017SSD
ASYMMETRIC DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Features
· DIOFET utilize a unique patented process to monolithically integrate a MOSFET and a Schottky in a single die to deliver: · Low RDS(on) ­ minimizes conduction loss · Low VSD ­ reducing the losses due to body diode construction · Low Qrr ­ lower Qrr of the integrated Schottky reduces body diode switching losses · Low gate capacitance (Qg/Qgs) ratio ­ reduces risk of shootthrough or cross conduction currents at high frequencies · Avalanche rugged ­ IAR and EAR rated Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1) "Green" Device (Note 2) Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
Mechanical Data

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 8.5 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 2.5 В
• Рассеиваемая мощность: 1.19 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
• Continuous Drain Current Id, N Channel: 8 А
• Current Id Max: 7.2 А
• Drain Source Voltage Vds, N Channel: 30 В
• Module Configuration: Dual
• On Resistance Rds(on), N Channel: 0.0085 Ом

RoHS: есть

Варианты написания:

DMS3017SSD13, DMS3017SSD 13