Datasheet DMS3017SSD-13 - Diodes Даташит Полевой транзистор, +SCH, NN CH, 30 В, SO8 — Даташит
Наименование модели: DMS3017SSD-13
Купить DMS3017SSD-13 на РадиоЛоцман.Цены — от 43 до 228 ₽ 14 предложений от 7 поставщиков MOSFET Dual N-Ch DIOFET VDSS 30V VGSS 20V | |||
DMS3017SSD-13 Diodes | 43 ₽ | ||
DMS3017SSD-13 Diodes | 44 ₽ | ||
DMS3017SSD-13 Diodes | от 228 ₽ | ||
DMS3017SSD-13 Diodes | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Diodes
Описание: Полевой транзистор, +SCH, NN CH, 30 В, SO8
Краткое содержание документа:
DMS3017SSD
ASYMMETRIC DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Features
· DIOFET utilize a unique patented process to monolithically integrate a MOSFET and a Schottky in a single die to deliver: · Low RDS(on) minimizes conduction loss · Low VSD reducing the losses due to body diode construction · Low Qrr lower Qrr of the integrated Schottky reduces body diode switching losses · Low gate capacitance (Qg/Qgs) ratio reduces risk of shootthrough or cross conduction currents at high frequencies · Avalanche rugged IAR and EAR rated Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1) "Green" Device (Note 2) Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
Mechanical Data
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 8.5 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 2.5 В
- Рассеиваемая мощность: 1.19 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
- Continuous Drain Current Id, N Channel: 8 А
- Current Id Max: 7.2 А
- Drain Source Voltage Vds, N Channel: 30 В
- Module Configuration: Dual
- On Resistance Rds(on), N Channel: 0.0085 Ом
RoHS: есть
Варианты написания:
DMS3017SSD13, DMS3017SSD 13