Datasheet FDC6303N - Fairchild Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, N, SMD, SUPERSOT-6 — Даташит

Купить FDC6303N на РадиоЛоцман.Цены — от 4.36 до 38 ₽ 44 предложений от 18 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — массивы
Компонентс Ру Россия	FDC6303N ON Semiconductor	от 32 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	FDC6303N ON Semiconductor	от 36 ₽	Купить
Maybo Весь мир	FDC6303N ON Semiconductor	38 ₽	Купить
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	FDC6303N_NL Fairchild	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, N, SMD, SUPERSOT-6

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
August 1997
FDC6303N Digital FET, Dual N-Channel
General Description
These dual N-Channel logic level enhancement mode field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology.

This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for digital transistors in load switching applications. Since bias resistors are not required this one N-Channel FET can replace several digital transistors with different bias resistors like the IMHxA series.
Features

Спецификации:

• Module Configuration: Dual
• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 680 мА
• Drain Source Voltage Vds: 25 В
• On Resistance Rds(on): 450 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 800 мВ
• Power Dissipation Pd: 900 мВт
• Корпус транзистора: SuperSOT
• Количество выводов: 6
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 680 мА
• Тип корпуса: SuperSOT-6
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: 25 В
• Voltage Vgs Max: 800 мВ
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В

RoHS: есть