Datasheet FDC6318P - Fairchild Даташит Полевой транзистор, PP — Даташит
Наименование модели: FDC6318P
![]() 31 предложений от 16 поставщиков Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -12В; -2,5А; 0,96Вт; SuperSOT-6 | |||
FDC6318P ON Semiconductor | 19 ₽ | ||
FDC6318P ON Semiconductor | от 53 ₽ | ||
FDC6318P ON Semiconductor | 54 ₽ | ||
FDC6318P ON Semiconductor | 75 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Fairchild
Описание: Полевой транзистор, PP
Краткое содержание документа:
FDC6318P
December 2001
FDC6318P
Dual P-Channel 1.8V PowerTrench Specified MOSFET
General Description
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: 2.5 А
- Drain Source Voltage Vds: -12 В
- On Resistance Rds(on): 90 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 700 мВ
- Рассеиваемая мощность: 960 мВт
- Корпус транзистора: SuperSOT
- Количество выводов: 6
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Continuous Drain Current Id, P Channel: -2.5 А
- Current Id Max: -2.5 А
- Drain Source Voltage Vds, P Channel: -12 В
- Module Configuration: Dual
- On Resistance Rds(on), P Channel: 0.069 Ом
- Тип корпуса: SuperSOT
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds Typ: 12 В
- Voltage Vgs Max: -700 мВ
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
RoHS: есть