Источники питания Keen Side

Datasheet FDC6318P - Fairchild Даташит Полевой транзистор, PP — Даташит

Fairchild FDC6318P

Наименование модели: FDC6318P

31 предложений от 16 поставщиков
Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -12В; -2,5А; 0,96Вт; SuperSOT-6
ChipWorker
Весь мир
FDC6318P
ON Semiconductor
19 ₽
FDC6318P
ON Semiconductor
от 53 ₽
Элитан
Россия
FDC6318P
ON Semiconductor
54 ₽
IC Home
Весь мир
FDC6318P
ON Semiconductor
75 ₽

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, PP

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
FDC6318P
December 2001
FDC6318P
Dual P-Channel 1.8V PowerTrench Specified MOSFET
General Description

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: 2.5 А
  • Drain Source Voltage Vds: -12 В
  • On Resistance Rds(on): 90 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 700 мВ
  • Рассеиваемая мощность: 960 мВт
  • Корпус транзистора: SuperSOT
  • Количество выводов: 6
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Continuous Drain Current Id, P Channel: -2.5 А
  • Current Id Max: -2.5 А
  • Drain Source Voltage Vds, P Channel: -12 В
  • Module Configuration: Dual
  • On Resistance Rds(on), P Channel: 0.069 Ом
  • Тип корпуса: SuperSOT
  • Способ монтажа: SMD
  • Voltage Vds Typ: 12 В
  • Voltage Vgs Max: -700 мВ
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet FDC6318P - Fairchild MOSFET, PP

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка