Datasheet FDC6320C - Fairchild Даташит Полевой транзистор, NP — Даташит

Купить FDC6320C на РадиоЛоцман.Цены — от 10 до 67 ₽ 21 предложений от 19 поставщиков Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 25/-25В
ChipWorker Весь мир	FDC6320C ON Semiconductor	10 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	FDC6320C Fairchild	29 ₽	Купить
Эиком Россия	FDC6320C Fairchild	55 ₽	Купить
Augswan Весь мир	FDC6320C ON Semiconductor	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, NP

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
October 1997
FDC6320C Dual N & P Channel , Digital FET
General Description
These dual N & P Channel logic level enhancement mode field effec transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology.

This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. The device is an improved design especially for low voltage applications as a replacement for bipolar digital transistors in load switching applications. Since bias resistors are not required, this dual digital FET can replace several digital transistors with difference bias resistors.
Features

Спецификации:

• Полярность транзистора: N and P Channel
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 2.7 В
• Рассеиваемая мощность: 900 мВт
• Корпус транзистора: SuperSOT
• Количество выводов: 6
• SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
• Cont Current Id N Channel: 0.22 А
• Cont Current Id P Channel: 120 мА
• Continuous Drain Current Id: 220 мА
• Current Id Max: 220 мА
• Drain Source Voltage Vds: 25 В
• Module Configuration: Dual
• On Resistance Rds(on): 5 Ом
• On State Resistance N Channel Max: 4 Ом
• On State Resistance P Channel Max: 10 Ом
• Тип корпуса: SuperSOT-6
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: 25 В
• Voltage Vgs Max: 850 мВ
• Voltage Vgs Rds N Channel: 4.5 В
• Voltage Vgs Rds P Channel: 4.5 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
• Voltage Vgs th N Channel 1 Min: 0.65 В
• Voltage Vgs th P Channel Max: -1.5 В
• Voltage Vgs th P Channel Min: -0.65 В

RoHS: есть