Datasheet FDC6401N - Fairchild Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, N, SMD, SUPERSOT-6 — Даташит
Наименование модели: FDC6401N
![]() 46 предложений от 22 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — массивы | |||
FDC6401N ON Semiconductor | от 18 ₽ | ||
FDC6401N | 43 ₽ | ||
FDC6401N ON Semiconductor | от 76 ₽ | ||
FDC6401N ON Semiconductor | от 83 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Fairchild
Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, N, SMD, SUPERSOT-6
Краткое содержание документа:
FDC6401N
October 2001
FDC6401N
Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench® MOSFET
General Description
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 3 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 70 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 900 мВ
- Рассеиваемая мощность: 960 мВт
- Корпус транзистора: SuperSOT
- Количество выводов: 6
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Continuous Drain Current Id, N Channel: 3 А
- Current Id Max: 3 А
- Drain Source Voltage Vds, N Channel: 20 В
- Module Configuration: Dual
- On Resistance Rds(on), N Channel: 0.05 Ом
- Тип корпуса: SuperSOT-6
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds Typ: 20 В
- Voltage Vgs Max: 900 мВ
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
RoHS: есть