Datasheet FDC6506P - Fairchild Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, PP, SUPERSOT-6 — Даташит
Наименование модели: FDC6506P
![]() 15 предложений от 15 поставщиков Труба MOS, Small Signal Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 30V, 2Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | |||
FDC6506P ON Semiconductor | 26 ₽ | ||
FDC6506P | 990 ₽ | ||
FDC6506P-NL ON Semiconductor | по запросу | ||
FDC6506P Fairchild | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Fairchild
Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, PP, SUPERSOT-6
Краткое содержание документа:
FDC6506P
February 1999
FDC6506P
Dual P-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET
General Description
Спецификации:
- Module Configuration: Dual
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: 3 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 170 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -1.8 В
- Power Dissipation Pd: 960 мВт
- Корпус транзистора: SuperSOT
- Количество выводов: 6
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 1.8 А
- Количество транзисторов: 2
- Тип корпуса: SuperSOT-6
- Способ монтажа: SMD
- Pulse Current Idm: 10 А
- SMD Marking: FDC6506P
- Uni / Bi Directional Polarity: PP
- Voltage Vds: 30 В
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Max: -1.8 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: -10 В
- Voltage Vgs th Max: -3 В
RoHS: есть