Datasheet FDG6301N - Fairchild Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, N, SMD, 6-SC-70 — Даташит

Купить FDG6301N на РадиоЛоцман.Цены — от 4.15 до 39 ₽ 41 предложений от 22 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — массивы
ChipWorker Весь мир	FDG6301N-F085P ON Semiconductor	9.11 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	FDG6301N ON Semiconductor	от 34 ₽	Купить
Океан Электроники Россия	FDG6301N_D87Z Fairchild	по запросу	Купить
LifeElectronics Россия	FDG6301N_NL Fairchild	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, N, SMD, 6-SC-70

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
July 1999
FDG6301N Dual N-Channel, Digital FET
General Description
These dual N-Channel logic level enhancement mode field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology.

This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for bipolar digital transistors and small signal MOSFETs.
Features

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 220 мА
• Drain Source Voltage Vds: 25 В
• On Resistance Rds(on): 4 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 850 мВ
• Рассеиваемая мощность: 300 мВт
• Корпус транзистора: SC-70
• Количество выводов: 6
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Continuous Drain Current Id, N Channel: 220 мА
• Current Id Max: 220 мА
• Drain Source Voltage Vds, N Channel: 25 В
• Module Configuration: Dual
• On Resistance Rds(on), N Channel: 2.6 Ом
• Тип корпуса: SC-70
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: 25 В
• Voltage Vgs Max: 850 мВ
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В

RoHS: есть