Datasheet FDG6301N - Fairchild Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, N, SMD, 6-SC-70 — Даташит
Наименование модели: FDG6301N
Купить FDG6301N на РадиоЛоцман.Цены — от 2.77 до 991 ₽ 32 предложений от 18 поставщиков Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 25В; 0,22А; 0,3Вт; SC70-6 | |||
FDG6301N Fujitsu-Siemens | 2.77 ₽ | ||
FDG6301N Fairchild | 13 ₽ | ||
FDG6301N ON Semiconductor | 20 ₽ | ||
FDG6301N_NL Fairchild | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Fairchild
Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, N, SMD, 6-SC-70
Краткое содержание документа:
July 1999
FDG6301N Dual N-Channel, Digital FET
General Description
These dual N-Channel logic level enhancement mode field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology.
This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for bipolar digital transistors and small signal MOSFETs.
Features
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 220 мА
- Drain Source Voltage Vds: 25 В
- On Resistance Rds(on): 4 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 850 мВ
- Рассеиваемая мощность: 300 мВт
- Корпус транзистора: SC-70
- Количество выводов: 6
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Continuous Drain Current Id, N Channel: 220 мА
- Current Id Max: 220 мА
- Drain Source Voltage Vds, N Channel: 25 В
- Module Configuration: Dual
- On Resistance Rds(on), N Channel: 2.6 Ом
- Тип корпуса: SC-70
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds Typ: 25 В
- Voltage Vgs Max: 850 мВ
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
RoHS: есть