Datasheet FDG6304P - Fairchild Даташит Транзистор, полевой транзистор — Даташит

Купить FDG6304P на РадиоЛоцман.Цены — от 5.56 до 70 ₽ 46 предложений от 21 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — массивы
AllElco Electronics Весь мир	FDG6304P ON Semiconductor	от 5.56 ₽	Купить
Hi-Tech Circuit Group Весь мир	FDG6304P-X ON Semiconductor	по запросу	Купить
МосЧип Россия	FDG6304P(T+R)D/C01 Fairchild	по запросу	Купить
Стандарт СИЗ Россия	FDG6304P Mitsubishi	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Транзистор, полевой транзистор

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
July 1999
FDG6304P Dual P-Channel, Digital FET
General Description
These dual P-Channel logic level enhancement mode field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology.

This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for bipolar digital transistors and small signal MOSFETs.
Features

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: -410 мА
• Drain Source Voltage Vds: -25 В
• On Resistance Rds(on): 1.1 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: -820 мВ
• Рассеиваемая мощность: 300 мВт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SC-70
• Количество выводов: 6
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Continuous Drain Current Id, P Channel: -410 мА
• Current Id Max: -410 мА
• Drain Source Voltage Vds, P Channel: -25 В
• Module Configuration: Dual
• On Resistance Rds(on), P Channel: 0.85 Ом
• Тип корпуса: SC-70
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: -25 В
• Voltage Vgs Max: -820 мВ
• Voltage Vgs Rds on Measurement: -4.5 В

RoHS: есть