Datasheet FDG6304P - Fairchild Даташит Транзистор, полевой транзистор — Даташит
Наименование модели: FDG6304P
Купить FDG6304P на РадиоЛоцман.Цены — от 3.91 до 604 ₽ 28 предложений от 16 поставщиков Двойной МОП-транзистор, P Канал, 25 В, 410 мА, 0.85 Ом, SC-70, Surface Mount | |||
FDG6304P Fujitsu-Siemens | 3.91 ₽ | ||
FDG6304P ON Semiconductor | 14 ₽ | ||
FDG6304P ON Semiconductor | от 21 ₽ | ||
FDG6304P_NL Fairchild | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Fairchild
Описание: Транзистор, полевой транзистор
Краткое содержание документа:
July 1999
FDG6304P Dual P-Channel, Digital FET
General Description
These dual P-Channel logic level enhancement mode field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology.
This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for bipolar digital transistors and small signal MOSFETs.
Features
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: -410 мА
- Drain Source Voltage Vds: -25 В
- On Resistance Rds(on): 1.1 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -820 мВ
- Рассеиваемая мощность: 300 мВт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SC-70
- Количество выводов: 6
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Continuous Drain Current Id, P Channel: -410 мА
- Current Id Max: -410 мА
- Drain Source Voltage Vds, P Channel: -25 В
- Module Configuration: Dual
- On Resistance Rds(on), P Channel: 0.85 Ом
- Тип корпуса: SC-70
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds Typ: -25 В
- Voltage Vgs Max: -820 мВ
- Voltage Vgs Rds on Measurement: -4.5 В
RoHS: есть