Datasheet FDS8949 - Fairchild Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, N, SO-8 — Даташит

Купить FDS8949 на РадиоЛоцман.Цены — от 13 до 3 655 ₽ 55 предложений от 23 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — массивы
ChipWorker Весь мир	FDS8949 ON Semiconductor	35 ₽	Купить
Эиком Россия	FDS8949 ON Semiconductor	от 77 ₽	Купить
Триема Россия	FDS8949 SO8-150 Fair	105 ₽	Купить
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	FDS8949_10 Fairchild	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, N, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
FDS8949 Dual N-Channel Logic Level PowerTrench® MOSFET
October 2006
FDS8949 Dual N-Channel Logic Level PowerTrench® MOSFET
40V, 6A, 29m
Features

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 6 А
• Drain Source Voltage Vds: 40 В
• On Resistance Rds(on): 29 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.9 В
• Рассеиваемая мощность: 2 Вт
• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Avalanche Single Pulse Energy Eas: 26mJ
• Capacitance Ciss Typ: 715 пФ
• Continuous Drain Current Id, N Channel: 6 А
• Current Id Max: 6 А
• Drain Source Voltage Vds, N Channel: 40 В
• Module Configuration: Dual
• On Resistance Rds(on), N Channel: 0.021 Ом
• On State Resistance Max: 29 МОм
• Тип корпуса: SOIC
• Pin Configuration: D1(5, 6), D2(7, 8), G1(4), S1(3), G2(2), S2(1)
• Pulse Current Idm: 20 А
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: 40 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 3 В
• Voltage Vgs th Min: 1 В

RoHS: есть