Datasheet FDS8949 - Fairchild Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, N, SO-8 — Даташит

Купить FDS8949 на РадиоЛоцман.Цены — от 13 до 2 402 ₽ 43 предложений от 21 поставщиков Двойной МОП-транзистор, N Канал, 40 В, 6 А, 0.029 Ом, SOIC, Surface Mount
ЧипСити Россия	FDS8949 ON Semiconductor	40 ₽	Купить
IC Home Весь мир	FDS8949 ON Semiconductor	85 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	FDS8949 ON Semiconductor	от 116 ₽	Купить
Стандарт СИЗ Россия	FDS8949 Sumida	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, N, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
FDS8949 Dual N-Channel Logic Level PowerTrench® MOSFET
October 2006
FDS8949 Dual N-Channel Logic Level PowerTrench® MOSFET
40V, 6A, 29m
Features

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 6 А
• Drain Source Voltage Vds: 40 В
• On Resistance Rds(on): 29 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.9 В
• Рассеиваемая мощность: 2 Вт
• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Avalanche Single Pulse Energy Eas: 26mJ
• Capacitance Ciss Typ: 715 пФ
• Continuous Drain Current Id, N Channel: 6 А
• Current Id Max: 6 А
• Drain Source Voltage Vds, N Channel: 40 В
• Module Configuration: Dual
• On Resistance Rds(on), N Channel: 0.021 Ом
• On State Resistance Max: 29 МОм
• Тип корпуса: SOIC
• Pin Configuration: D1(5, 6), D2(7, 8), G1(4), S1(3), G2(2), S2(1)
• Pulse Current Idm: 20 А
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: 40 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 3 В
• Voltage Vgs th Min: 1 В

RoHS: есть