Datasheet FDY2000PZ - Fairchild Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, P, SMD, SC89 — Даташит

Наименование модели: FDY2000PZ
15 предложений от 14 поставщиков MOSFET 2P-CH 20V 0.35A SOT-563F. Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 350mA 446mW Surface Mount SOT-563F. Transistors - FETs, MOSFETs -... | |||
| FDY2000PZ ON Semiconductor | 17 ₽ | ||
| FDY2000PZ ON Semiconductor | от 25 ₽ | ||
| FDY2000PZ ON Semiconductor | по запросу | ||
| FDY2000PZ Rochester Electronics | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Fairchild
Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, P, SMD, SC89
Краткое содержание документа:
January 2006
FDY2000PZ Dual P-Channel ( 2.5V) Specified PowerTrench® MOSFET
FDY2000PZ
Dual P-Channel ( 2.5V) Specified PowerTrench® MOSFET
General Description
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: 350 мА
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 1.2 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -1.03 В
- Рассеиваемая мощность: 625 мВт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SC-89
- Количество выводов: 6
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Continuous Drain Current Id, P Channel: -350 мА
- Current Id Max: -350 мА
- Drain Source Voltage Vds, P Channel: -20 В
- Module Configuration: Dual
- On Resistance Rds(on), P Channel: 0.5 Ом
- Тип корпуса: SC-89
- Pulse Current Idm: 1 А
- SMD Marking: А
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds Typ: -20 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: -4.5 В
- Voltage Vgs th Max: -1.5 В
RoHS: есть






