Datasheet IRF7101PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, NN, LOGIC, SO-8 — Даташит

Купить IRF7101PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 8.72 до 202 ₽ 22 предложений от 18 поставщиков Транзисторы - Двойные МОП-транзисторы
ЧипСити Россия	IRF7101PBF Infineon	28 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	IRF7101PBF Infineon	202 ₽	Купить
Океан Электроники Россия	IRF7101PBF International Rectifier	по запросу	Купить
МосЧип Россия	IRF7101-PBF&	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, NN, LOGIC, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 95162
IRF7101PbF
Adavanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance l Dual N-Channel MOSFET l Surface Mount l Available in Tape & Reel l Dynamic dv/dt Rating l Fast Switching l Lead-Free Description
l
HEXFET® Power MOSFET

Спецификации:

• Module Configuration: Dual
• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 3.5 А
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On Resistance Rds(on): 100 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Power Dissipation Pd: 2 Вт
• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 3.5 А
• External Depth: 5.2 мм
• Внешняя длина / высота: 1.75 мм
• Внешняя ширина: 4.05 мм
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Количество транзисторов: 2
• Тип корпуса: SOIC
• Способ монтажа: SMD
• Current Temperature: 25°C
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Pulse Current Idm: 14 А
• Расстояние между рядами выводов: 6.3 мм
• SMD Marking: F7101
• Voltage Vds: 20 В
• Voltage Vds Typ: 20 В
• Voltage Vgs Max: 3 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 3 В
• Voltage Vgs th Min: 1 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Dow Corning - 2265931
• Fischer Elektronik - ICK SMD A 5 SA
• Fischer Elektronik - WLK 5
• Roth Elektronik - RE932-01