Datasheet IRF7105QPBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, NP SO-8 — Даташит

Купить IRF7105QPBF на РадиоЛоцман.Цены 7 предложений от 7 поставщиков MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET
Кремний Россия и страны СНГ	IRF7105QPBF	по запросу	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	IRF7105QPBF International Rectifier	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	IRF7105QPBF International Rectifier	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	IRF7105QPBF Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, NP SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 96102
IRF7105QPbF
HEXFET® Power MOSFET
l l l l l l l l
Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance Dual N and P Channel MOSFET Surface Mount Available in Tape & Reel 150°C Operating Temperature Automotive [Q101] Qualified Lead-Free

Спецификации:

• Module Configuration: Dual
• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 3.5 А
• Drain Source Voltage Vds: 25 В
• On Resistance Rds(on): 83 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Power Dissipation Pd: 2 Вт
• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 3.5 А
• Тип корпуса: SOIC
• Способ монтажа: SMD
• Cont Current Id N Channel 2: 3.5 А
• Cont Current Id P Channel: 2.3 А
• On State Resistance N Channel Max: 100 МОм
• On State Resistance P Channel Max: 250 МОм
• Pulse Current Idm N Channel 2: 21 А
• Pulse Current Idm P Channel: 17 А
• Voltage Vds: 25 В
• Voltage Vds Typ: 25 В
• Voltage Vgs Max: 3 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• BONKOTE - BON102
• Electrolube - SMA10SL
• Roth Elektronik - RE932-01