Datasheet IRF7105QPBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, NP SO-8 — Даташит

International Rectifier IRF7105QPBF

Наименование модели: IRF7105QPBF

Купить IRF7105QPBF на РадиоЛоцман.Цены 5 предложений от 5 поставщиков MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET
Кремний Россия и страны СНГ	IRF7105QPBF	по запросу
МосЧип Россия	IRF7105QPBF International Rectifier	по запросу
Augswan Весь мир	IRF7105QPBF Infineon	по запросу
727GS Весь мир	IRF7105QPBF International Rectifier	по запросу

LED-драйверы – ключевые элементы современных световых и промышленных систем

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, NP SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 96102
IRF7105QPbF
HEXFET® Power MOSFET
l l l l l l l l
Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance Dual N and P Channel MOSFET Surface Mount Available in Tape & Reel 150°C Operating Temperature Automotive [Q101] Qualified Lead-Free

Спецификации:

Module Configuration: Dual
Полярность транзистора: N Channel
Continuous Drain Current Id: 3.5 А
Drain Source Voltage Vds: 25 В
On Resistance Rds(on): 83 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
Power Dissipation Pd: 2 Вт
Корпус транзистора: SOIC
Количество выводов: 8
SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
Current Id Max: 3.5 А
Тип корпуса: SOIC
Способ монтажа: SMD
Cont Current Id N Channel 2: 3.5 А
Cont Current Id P Channel: 2.3 А
On State Resistance N Channel Max: 100 МОм
On State Resistance P Channel Max: 250 МОм
Pulse Current Idm N Channel 2: 21 А
Pulse Current Idm P Channel: 17 А
Voltage Vds: 25 В
Voltage Vds Typ: 25 В
Voltage Vgs Max: 3 В
Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

BONKOTE - BON102
Electrolube - SMA10SL
Roth Elektronik - RE932-01