Datasheet IRF7501PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, NN, MICRO-8 — Даташит

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, NN, MICRO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 95345
IRF7501PbF
HEXFET® Power MOSFET
l l l l l l l l
Generation V Technology Ulrtra Low On-Resistance Dual N-Channel MOSFET Very Small SOIC Package Low Profile (<1.1mm) Available in Tape & Reel Fast Switching Lead-Free

Спецификации:

• Module Configuration: Dual
• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 2.4 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 135 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 700 мВ
• Power Dissipation Pd: 1.25 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: MicroSOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 2.4 А
• External Depth: 5.03 мм
• Внешняя длина / высота: 1.11 мм
• Внешняя ширина: 3.05 мм
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Расстояние между выводами: 0.65 мм
• Количество транзисторов: 2
• Тип корпуса: Micro8
• Способ монтажа: SMD
• Current Temperature: 25°C
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• On State Resistance Max: 135 МОм
• Pulse Current Idm: 19 А
• Расстояние между рядами выводов: 4.24 мм
• SMD Marking: F7501
• Voltage Vds: 20 В
• Voltage Vds Typ: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
• Voltage Vgs th Min: 700 мВ

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• LICEFA - V11-7
• Roth Elektronik - RE903