Datasheet IRF7503PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, NN, MICRO-8 — Даташит

Купить IRF7503PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 26 до 45 ₽ 9 предложений от 9 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 30V, 0.135ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, MICRO-8, SOIC-8
ЧипСити Россия	IRF7503PBF International Rectifier	42 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	IRF7503PBF International Rectifier	45 ₽	Купить
ЭлектроПласт Россия	IRF7503PBF	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	IRF7503PBF International Rectifier	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, NN, MICRO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD- 95346
IRF7503PbF
Lead-Free
www.irf.com
1

Спецификации:

• Module Configuration: Dual
• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 2.4 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 135 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
• Power Dissipation Pd: 1.25 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: MicroSOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 2.4 А
• External Depth: 5.03 мм
• Внешняя длина / высота: 1.11 мм
• Внешняя ширина: 3.05 мм
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Расстояние между выводами: 0.65 мм
• Количество транзисторов: 2
• Тип корпуса: Micro8
• Способ монтажа: SMD
• Capacitance Ciss Typ: 210 пФ
• Charge Qrr @ Tj = 25В°C Typ: 48nC
• Current Temperature: 25°C
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Gfs Min: 1.9A/V
• On State Resistance Max: 135 МОм
• Pulse Current Idm: 14 А
• Rate of Voltage Change dv / dt: 5V/ns
• Reverse Recovery Time trr Typ: 40 нс
• Расстояние между рядами выводов: 4.24 мм
• SMD Marking: F7503
• Voltage Vds: 30 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA091203SM
• Panasonic - EYGA121807A
• Roth Elektronik - RE903