Datasheet IRF7555PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, PP, MICRO-8 — Даташит
Наименование модели: IRF7555PBF
HEXFET?® Power MOSFET | |||
IRF7555PBF | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, PP, MICRO-8
Краткое содержание документа:
PD -91865B
IRF7555
HEXFET® Power MOSFET
Trench Technology q Ultra Low On-Resistance q Dual P-Channel MOSFET q Very Small SOIC Package q Low Profile (<1.1mm) q Available in Tape & Reel
q
Спецификации:
- Module Configuration: Dual
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: 4.3 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 55 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -1.2 В
- Power Dissipation Pd: 1.25 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: MicroSOIC
- Количество выводов: 8
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: -4.3 А
- External Depth: 5.03 мм
- Внешняя длина / высота: 1.11 мм
- Внешняя ширина: 3.05 мм
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Температура перехода минимальная: -55°C
- Расстояние между выводами: 0.65 мм
- Количество транзисторов: 2
- Тип корпуса: Micro8
- Способ монтажа: SMD
- Current Temperature: 25°C
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- On State Resistance Max: 55 МОм
- Pulse Current Idm: 34 А
- Расстояние между рядами выводов: 4.24 мм
- SMD Marking: 7555
- Voltage Vds: 20 В
- Voltage Vds Typ: -20 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
- Voltage Vgs th Min: -0.6 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- LICEFA - V11-7-6-10
- LICEFA - V11-7
- Roth Elektronik - RE903