Datasheet IRF8513PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, сдвоенный N-CH 30 В 8A/11A SO8 — Даташит
Наименование модели: IRF8513PBF
Купить IRF8513PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 17 до 1 064 ₽ 20 предложений от 13 поставщиков Транзисторы полевые (MOSFET) | |||
| IRF8513PBF, Транзисто, 2N-канала 30В 11А, (IRF7902), [SO-8] International Rectifier | 17 ₽ | ||
| IRF8513PBF Infineon | от 21 ₽ | ||
| IRF8513PBF Infineon | 37 ₽ | ||
| IRF8513PBF,(IRF7902)2Nкан 30В 11А SO8 International Rectifier | 1 064 ₽ | ||
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, сдвоенный N-CH 30 В 8A/11A SO8
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
PD - 96196
IRF8513PbF
HEXFET® Power MOSFET
Applications l Dual SO-8 MOSFET for POL Converters in Notebook Computers, Servers, Graphics Cards, Game Consoles and Set-Top Box Benefits l Low Gate Charge and Low RDS(on) l Fully Characterized Avalanche Voltage and Current l 20V VGS Max.
Gate Rating l 100% Tested for RG l Lead-Free (Qualified to 260°C Reflow) l RoHS Compliant (Halogen Free)
V DSS
Спецификации:
- Module Configuration: Dual
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 8 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 15.5 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.8 В
- Power Dissipation Pd: 2.4 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 8 мА
- Тип корпуса: SOIC
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 2.35 В
RoHS: есть
