Datasheet IRF9956PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, NN, LOGIC, SO-8 — Даташит
Наименование модели: IRF9956PBF
![]() 27 предложений от 17 поставщиков Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 3.5 А | |||
IRF9956PBF Infineon | от 46 ₽ | ||
IRF9956PBF Infineon | от 47 ₽ | ||
IRF9956PBF Infineon | 86 ₽ | ||
IRF9956PBF Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, NN, LOGIC, SO-8
Краткое содержание документа:
PD - 95259
IRF9956PbF
l l l l l l l
Generation V Technology Ultra Low On-Resistance Dual N-Channel MOSFET Surface Mount Very Low Gate Charge and Switching Losses Fully Avalanche Rated Lead-Free
HEXFET® Power MOSFET
Спецификации:
- Module Configuration: Dual
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 3.5 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 100 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
- Power Dissipation Pd: 2 Вт
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 3.5 А
- External Depth: 5.2 мм
- Внешняя длина / высота: 1.75 мм
- Внешняя ширина: 4.05 мм
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Температура перехода минимальная: -55°C
- Количество транзисторов: 2
- Тип корпуса: SOIC
- Pin Configuration: c
- Pin Format: 1 S1
- Способ монтажа: SMD
- Current Temperature: 25°C
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Pulse Current Idm: 16 А
- Расстояние между рядами выводов: 6.3 мм
- SMD Marking: F9956
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Max: 1 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Dow Corning - 2265931
- Fischer Elektronik - ICK SMD A 5 SA
- Fischer Elektronik - WLK 5
- Roth Elektronik - RE932-01