Datasheet NDC7002N - Fairchild Даташит Полевой транзистор — Даташит
Наименование модели: NDC7002N
![]() 62 предложений от 27 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — массивы | |||
NDC7002N | от 5.28 ₽ | ||
NDC7002N ON Semiconductor | от 23 ₽ | ||
NDC7002N ON Semiconductor | от 30 ₽ | ||
NDC7002N Fairchild | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Fairchild
Описание: Полевой транзистор
Краткое содержание документа:
March 1996
NDC7002N Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
General Description
These dual N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology.
This very high density process has been designed to minimize on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching. These devices is particularly suited for low voltage applications requiring a low current high side switch.
Features
Спецификации:
- Continuous Drain Current, Id: 0.51 А
- Drain Source Voltage, Vds: 50 В
- On Resistance, Rds(on): 2 Ом
- Rds(on) Test Voltage, Vgs: 10 В
- Threshold Voltage, Vgs Typ: 1.9 В
- Рассеиваемая мощность: 0.9 Вт
RoHS: есть