Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet NDC7002N - Fairchild Даташит Полевой транзистор — Даташит

Fairchild NDC7002N

Наименование модели: NDC7002N

45 предложений от 22 поставщиков
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.51A I(D), 50V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-6
NDC7002N
Fujitsu-Siemens
4.30 ₽
ЗУМ-СМД
Россия
NDC7002N
Youtai
5.67 ₽
AiPCBA
Весь мир
NDC7002N
Youtai
8.30 ₽
NDC7002N
Fairchild
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
March 1996
NDC7002N Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
General Description
These dual N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology.

This very high density process has been designed to minimize on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching. These devices is particularly suited for low voltage applications requiring a low current high side switch.
Features

Спецификации:

  • Continuous Drain Current, Id: 0.51 А
  • Drain Source Voltage, Vds: 50 В
  • On Resistance, Rds(on): 2 Ом
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage, Vgs Typ: 1.9 В
  • Рассеиваемая мощность: 0.9 Вт

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet NDC7002N - Fairchild MOSFET

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России