Datasheet NDS9953A - Fairchild Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, PP, LOGIC, SO-8 — Даташит
Наименование модели: NDS9953A
![]() 14 предложений от 14 поставщиков Транзисторы - Двойные МОП-транзисторы | |||
NDS9953A ON Semiconductor | 50 ₽ | ||
NDS9953A | 129 ₽ | ||
NDS9953A Fairchild | 148 ₽ | ||
NDS9953A ON Semiconductor | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Fairchild
Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, PP, LOGIC, SO-8
Краткое содержание документа:
February 1996
NDS9953A Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
General Description
These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology.
This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulses in the avalanche and commutation modes. These devices are particularly suited for low voltage applications such as notebook computer power management and other battery powered circuits where fast switching, low in-line power loss, and resistance to transients are needed.
Features
Спецификации:
- Module Configuration: Dual
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: 2.9 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 200 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -1.6 В
- Power Dissipation Pd: 2 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 3.7 А
- External Depth: 5.2 мм
- Внешняя длина / высота: 1.75 мм
- Внешняя ширина: 4.05 мм
- Количество транзисторов: 2
- Тип корпуса: SOIC
- Pin Configuration: c
- Способ монтажа: SMD
- Current Temperature: 25°C
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Pulse Current Idm: 10 А
- Расстояние между рядами выводов: 6.3 мм
- SMD Marking: NDS9953A
- Voltage Vds Typ: -30 В
- Voltage Vgs Max: -20 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: -10 В
RoHS: есть