Datasheet NDS9956A - Fairchild Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, NN, LOGIC, SO-8 — Даташит

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, NN, LOGIC, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
February 1996
NDS9956A Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
General Description
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology.

This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulses in the avalanche and commutation modes. These devices are particularly suited for low voltage applications such as DC/DC conversion and DC motor control where fast switching, low in-line power loss, and resistance to transients are needed.
Features

Спецификации:

• Module Configuration: Dual
• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 3.7 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 80 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
• Power Dissipation Pd: 2 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 3.7 А
• External Depth: 5.2 мм
• Внешняя длина / высота: 1.75 мм
• Внешняя ширина: 4.05 мм
• Количество транзисторов: 2
• Тип корпуса: SOIC
• Pin Configuration: c
• Способ монтажа: SMD
• Current Temperature: 25°C
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Pulse Current Idm: 15 А
• Расстояние между рядами выводов: 6.3 мм
• SMD Marking: NDS9956A
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Dow Corning - 2265931
• Fischer Elektronik - ICK SMD A 5 SA
• Fischer Elektronik - WLK 5