Datasheet NTJD4401NT1G - ON Semiconductor Даташит Полевой транзистор транзистор — Даташит
Наименование модели: NTJD4401NT1G
![]() 37 предложений от 18 поставщиков Двойной МОП-транзистор, N Канал, 20 В, 630 мА, 0.29 Ом, SOT-363, Surface Mount | |||
NTJD4401NT1G ON Semiconductor | 9.32 ₽ | ||
NTJD4401NT1G ON Semiconductor | от 22 ₽ | ||
NTJD4401NT1G ON Semiconductor | 134 ₽ | ||
NTJD4401NT1G ON Semiconductor | по запросу |
Подробное описание
Производитель: ON Semiconductor
Описание: Полевой транзистор транзистор
Краткое содержание документа:
NTJD4401N Small Signal MOSFET
20 V, Dual N-Channel, SC-88 ESD Protection
Features
· · · · · · · · ·
Small Footprint (2 x 2 mm) Low Gate Charge N-Channel Device ESD Protected Gate Same Package as SC-70 (6 Leads) Pb-Free Packages are Available Load Power switching Li-Ion Battery Supplied Devices Cell Phones, Media Players, Digital Cameras, PDAs DC-DC Conversion
Спецификации:
- Module Configuration: Dual
- Полярность транзистора: Dual N Channel
- Continuous Drain Current Id: 630 мА
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 375 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 920 мВ
- Power Dissipation Pd: 270 мВт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SC-88
- Количество выводов: 6
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 630 мА
- Тип корпуса: SC-88
- Voltage Vgs Max: 12 В
RoHS: есть