Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений

Datasheet NTJD4401NT1G - ON Semiconductor Даташит Полевой транзистор транзистор — Даташит

ON Semiconductor NTJD4401NT1G

Наименование модели: NTJD4401NT1G

34 предложений от 15 поставщиков
Двойной МОП-транзистор, N Канал, 20 В, 630 мА, 0.29 Ом, SOT-363, Surface Mount
Триема
Россия
NTJD4401NT1G
ON Semiconductor
9.00 ₽
Akcel
Весь мир
NTJD4401NT1G
ON Semiconductor
от 9.73 ₽
NTJD4401NT1G
ON Semiconductor
от 28 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
NTJD4401NT1G
439 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Полевой транзистор транзистор

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTJD4401N Small Signal MOSFET
20 V, Dual N-Channel, SC-88 ESD Protection
Features
· · · · · · · · ·
Small Footprint (2 x 2 mm) Low Gate Charge N-Channel Device ESD Protected Gate Same Package as SC-70 (6 Leads) Pb-Free Packages are Available Load Power switching Li-Ion Battery Supplied Devices Cell Phones, Media Players, Digital Cameras, PDAs DC-DC Conversion

Данные для моделированияДанные для моделирования

Спецификации:

  • Module Configuration: Dual
  • Полярность транзистора: Dual N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 630 мА
  • Drain Source Voltage Vds: 20 В
  • On Resistance Rds(on): 375 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 920 мВ
  • Power Dissipation Pd: 270 мВт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SC-88
  • Количество выводов: 6
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Current Id Max: 630 мА
  • Тип корпуса: SC-88
  • Voltage Vgs Max: 12 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet NTJD4401NT1G - ON Semiconductor MOSFET TRANSISTOR

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России