Datasheet PHC2300,118 - NXP Даташит Полевой транзистор, NP CH, 300 В, SOT96-1 — Даташит

Купить PHC2300,118 на РадиоЛоцман.Цены — от 54 до 80 ₽ 12 предложений от 12 поставщиков NEXPERIA - PHC2300,118 - Dual MOSFET, N and P Channel, 170 mA, 300 V, 6 ohm, 10 V, 2 V
Augswan Весь мир	PHC2300,118 Nexperia	по запросу	Купить
727GS Весь мир	PHC2300,118 NXP	по запросу	Купить
МосЧип Россия	PHC2300.118 NXP	по запросу	Купить
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	PHC2300118 NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, NP CH, 300 В, SOT96-1

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SO 8
PHC2300
Complementary enhancement mode MOS transistors
Rev.

05 -- 24 February 2011 Product data sheet
1. Product profile

Спецификации:

• Полярность транзистора: N and P Channel
• Continuous Drain Current Id: 170 мА
• Drain Source Voltage Vds: 300 В
• On Resistance Rds(on): 6 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 2 В
• Рассеиваемая мощность: 1.6 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOT-96
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Continuous Drain Current Id, N Channel: 340 мА
• Continuous Drain Current Id, P Channel: -235 мА
• Current Id Max: 340 мА
• Drain Source Voltage Vds, N Channel: 300 В
• Drain Source Voltage Vds, P Channel: -300 В
• Module Configuration: Dual
• On Resistance Rds(on), N Channel: 6 Ом
• On Resistance Rds(on), P Channel: 17 Ом
• Тип корпуса: SOT-96
• Способ монтажа: SMD
• Тип транзистора: Enhancement
• Voltage Vds Typ: 300 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Варианты написания:

PHC2300118, PHC2300 118