Муфты электромонтажные от производителя Fucon

Datasheet PHC2300,118 - NXP Даташит Полевой транзистор, NP CH, 300 В, SOT96-1 — Даташит

NXP PHC2300,118

Наименование модели: PHC2300,118

17 предложений от 11 поставщиков
NEXPERIA - PHC2300,118 - Dual MOSFET, N and P Channel, 170 mA, 300 V, 6 ohm, 10 V, 2 V
T-electron
Россия и страны СНГ
PHC2300.118
Nexperia
29 ₽
ЧипСити
Россия
PHC2300,118
NXP
61 ₽
ChipWorker
Весь мир
PHC2300,118
NXP
90 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
PHC2300,118
по запросу
Какими будут станции зарядки электромобилей в 2030 году: лучшие решения и мировой опыт для отечественных разработок

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, NP CH, 300 В, SOT96-1

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SO 8
PHC2300
Complementary enhancement mode MOS transistors
Rev.

05 -- 24 February 2011 Product data sheet
1. Product profile

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N and P Channel
  • Continuous Drain Current Id: 170 мА
  • Drain Source Voltage Vds: 300 В
  • On Resistance Rds(on): 6 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 2 В
  • Рассеиваемая мощность: 1.6 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-96
  • Количество выводов: 8
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Continuous Drain Current Id, N Channel: 340 мА
  • Continuous Drain Current Id, P Channel: -235 мА
  • Current Id Max: 340 мА
  • Drain Source Voltage Vds, N Channel: 300 В
  • Drain Source Voltage Vds, P Channel: -300 В
  • Module Configuration: Dual
  • On Resistance Rds(on), N Channel: 6 Ом
  • On Resistance Rds(on), P Channel: 17 Ом
  • Тип корпуса: SOT-96
  • Способ монтажа: SMD
  • Тип транзистора: Enhancement
  • Voltage Vds Typ: 300 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Варианты написания:

PHC2300118, PHC2300 118

На английском языке: Datasheet PHC2300,118 - NXP MOSFET, NP CH, 300 V, SOT96-1

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России