Datasheet PHN210T,118 - NXP Даташит Полевой транзистор N-CH 30 В 3.4 А 8-SOIC — Даташит

Купить PHN210T,118 на РадиоЛоцман.Цены — от 15 до 458 ₽ 17 предложений от 17 поставщиков MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC. Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2W Surface Mount 8-SO. Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
ТаймЧипс Россия	PHN210T.118 NXP	по запросу	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	PHN210T,118 Nexperia	по запросу	Купить
Океан Электроники Россия	PHN210T,118 NXP	по запросу	Купить
727GS Весь мир	PHN210T,118 NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор N-CH 30 В 3.4 А 8-SOIC

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PHN210T
Dual N-channel TrenchMOS intermediate level FET
Rev.

02 -- 15 December 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

• Module Configuration: Dual
• Полярность транзистора: Dual N Channel
• Continuous Drain Current Id: 2.2 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 100 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 2 В
• Power Dissipation Pd: 2 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
• Current Id Max: 2.4 А
• Тип корпуса: SOIC
• Способ монтажа: SMD
• Тип транзистора: Enhancement
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Варианты написания:

PHN210T118, PHN210T 118