Datasheet PHN210T,118 - NXP Даташит Полевой транзистор N-CH 30 В 3.4 А 8-SOIC — Даташит

Купить PHN210T,118 на РадиоЛоцман.Цены — от 15 до 2 119 ₽ 18 предложений от 15 поставщиков NEXPERIA - PHN210T,118 - MOSFET Transistor, Dual N Channel, 2.2 A, 30 V, 0.08 ohm, 10 V, 2 V
T-electron Россия и страны СНГ	PHN210T.118	2 119 ₽	Купить
МосЧип Россия	PHN210T118 NXP	по запросу	Купить
Maybo Весь мир	PHN210T,118 Nexperia	по запросу	Купить
Стандарт СИЗ Россия	PHN210T,118	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор N-CH 30 В 3.4 А 8-SOIC

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PHN210T
Dual N-channel TrenchMOS intermediate level FET
Rev.

02 -- 15 December 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

• Module Configuration: Dual
• Полярность транзистора: Dual N Channel
• Continuous Drain Current Id: 2.2 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 100 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 2 В
• Power Dissipation Pd: 2 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
• Current Id Max: 2.4 А
• Тип корпуса: SOIC
• Способ монтажа: SMD
• Тип транзистора: Enhancement
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Варианты написания:

PHN210T118, PHN210T 118