Datasheet PHN210T,118 - NXP Даташит Полевой транзистор N-CH 30 В 3.4 А 8-SOIC — Даташит
Наименование модели: PHN210T,118
Купить PHN210T,118 на РадиоЛоцман.Цены — от 9.44 до 2 446 ₽ 19 предложений от 13 поставщиков NEXPERIA - PHN210T,118 - MOSFET Transistor, Dual N Channel, 2.2 A, 30 V, 0.08 ohm, 10 V, 2 V | |||
| PHN210T,118 NXP | 9.44 ₽ | ||
| PHN210T,118 NXP | 54 ₽ | ||
| PHN210T,118 Nexperia | от 71 ₽ | ||
| PHN210T,118 NXP | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор N-CH 30 В 3.4 А 8-SOIC
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
PHN210T
Dual N-channel TrenchMOS intermediate level FET
Rev.
02 -- 15 December 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Module Configuration: Dual
- Полярность транзистора: Dual N Channel
- Continuous Drain Current Id: 2.2 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 100 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 2 В
- Power Dissipation Pd: 2 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
- Current Id Max: 2.4 А
- Тип корпуса: SOIC
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: Enhancement
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Варианты написания:
PHN210T118, PHN210T 118
