Datasheet PMGD280UN,115 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, TRENCH DL, 20 В, SOT363 — Даташит

Купить PMGD280UN,115 на РадиоЛоцман.Цены — от 6.01 до 698 ₽ 30 предложений от 12 поставщиков Двойной МОП-транзистор, N Канал, 20 В, 200 мА, 0.28 Ом, SOT-363, Surface Mount
AiPCBA Весь мир	PMGD280UN,115 TE Connectivity	6.01 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	PMGD280UN115 NXP	11 ₽	Купить
Utmel Весь мир	PMGD280UN,115 Nexperia	от 20 ₽	Купить
Онлайн Компоненты Россия	PMGD280UN,115 Nexperia	от 21 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, TRENCH DL, 20 В, SOT363

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PMGD280UN
Dual N-channel µTrenchMOSTM ultra low level FET
MBD128
Rev.

01 -- 10 February 2004
Product data

Спецификации:

• Полярность транзистора: Dual N Channel
• Continuous Drain Current Id: 200 мА
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On Resistance Rds(on): 340 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 700 мВ
• Рассеиваемая мощность: 400 мВт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOT-363
• Количество выводов: 6
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Continuous Drain Current Id, N Channel: 870 мА
• Current Id Max: 870 мА
• Drain Source Voltage Vds, N Channel: 20 В
• Module Configuration: Dual
• On Resistance Rds(on), N Channel: 0.28 Ом
• Тип корпуса: SOT-363
• Способ монтажа: SMD
• Тип транзистора: Enhancement
• Voltage Vds Typ: 20 В
• Voltage Vgs Max: 8 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В

RoHS: есть

Варианты написания:

PMGD280UN115, PMGD280UN 115